UM6030
P/N MOS半桥式三相四线制伤害最大工作的的电压能够达到40V兼容3.3V, 5V 和15V录入方法论dv/dt接受力高达±50 V/nsP/NMOS |VGS| 相当于10V嵌入5V/40mA LDO原带过温自我保护功能模块栅极驱使额定电压:5~40V完全符合RoSH标准:QFN16 内嵌130ns 死区的时间 开通服务传送数据廷时Ton=80ns关断传送数据延迟时间Toff =30ns强弱侧时间延迟适配 欠压设定双向域值4.5V欠压绑定负向阈值法4.3V 拉直流电压技能:50mA 灌直流电压工作能力:300mA 做工作水温:-40~ 125° C 靜電耐火板:>2KV(HBM)封装方式方式:QFN16| Part number | Pre_driver | Vs(V) | Voltage (V) | Input logic | IO+/IO-(A) | DT(ns) | IBD | 5V LDO | 12 LDO | Channel num | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UM6030 | 3P3N | 40 | 5-40 | HIN/LIN | +0.05A/-0.3A | 130 | / | √ | -- | 3 | QFN16 |